IGBT

Sigla di insulated-gate bipolar tran­sistor, dispositivo elettronico ibrido tra un transistore bipolare e un MOSFET. Le caratteristiche di quest’ultimo, pilotaggio in tensione e velocità di commutazione, si accompagnano alla capacità del BJT di condurre correnti elevate. La tensione può raggiungere qualche migliaio di kV e le correnti superare alcune migliaia di kA.